光譜測(cè)量之探測(cè)器的選擇要點(diǎn)

光譜測(cè)量可廣泛應(yīng)用于許多不同的領(lǐng)域，如顏色測(cè)量、半導(dǎo)體領(lǐng)域里的測(cè)量、化學(xué)成分的濃度測(cè)量等。光譜測(cè)量的核心是物質(zhì)輻射或散射、透射或反射的光攜帶了該物質(zhì)的屬性和條件的信息，如化學(xué)和物理成份等參數(shù)。

探測(cè)器是選擇合適測(cè)量光譜系統(tǒng)的關(guān)鍵。在確定了需要測(cè)量的波長范圍后，根據(jù)實(shí)驗(yàn)的測(cè)試速度和精度要求，選擇合適的探測(cè)器。目前市場上常見的光譜儀探測(cè)器為CCD探測(cè)器、CMOS探測(cè)器和InGaAs探測(cè)器。

CCD探測(cè)器分為背照式和前照式；對(duì)于在紫外區(qū)（200-350 nm）和近紅外區(qū)（900-1160 nm）既需要高量子效率又需要高信噪比和較大動(dòng)態(tài)范圍的應(yīng)用，背照式CCD探測(cè)器是不錯(cuò)的選擇，但是價(jià)格相對(duì)前照式較高。

CMOS探測(cè)器測(cè)試速度快，可以在更短時(shí)間內(nèi)獲取光譜，觸發(fā)延遲性能好并且在紫外波段靈敏度高，如果關(guān)注這些要點(diǎn)推薦選擇CMOS探測(cè)器的光譜儀。

InGaAs探測(cè)器在近紅外區(qū)域有著*的靈敏度。InGaAs探測(cè)器的動(dòng)態(tài)范圍受暗噪聲限制。對(duì)于1750 nm以下的測(cè)量，探測(cè)器無需制冷；對(duì)于需要擴(kuò)展至2000-2500 nm波長范圍的應(yīng)用，需要采用二級(jí)制冷的探測(cè)器來降低暗噪聲。

除此之外，分辨率、靈敏度、雜散光、二級(jí)衍射效應(yīng)、通信接口等也是非常重要的參數(shù)。

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